图片仅供参考,产品以实物为准
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 35A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 5.5 mOhm @ 35A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 48nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2480pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 77W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 35 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 0.004 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-252 |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 25 ns |
| 正向跨导gFS （最大值/最小值） | 175 S |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 77 W |
| 上升时间 | 11 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 寿命 | Obsolete |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 5.5@10V |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大功率耗散 | 77000 |
| 最大连续漏极电流 | 35 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 35A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 2,500 |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.5 mOhm @ 35A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 77W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2480pF @ 10V |
| 其他名称 | FDD8586TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 48nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 35 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 安装 | Surface Mount |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.0055 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-252 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
FDD8586也可以通过以下分类找到
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
